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低周波領域における薄膜MI素子の磁壁移動に伴う特性変化とその解析

低周波領域における薄膜MI素子の磁壁移動に伴う特性変化とその解析

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG16120

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2016/09/20

タイトル(英語): Behavior and analysis of thin-film magnetoimpedance properties at low frequency due to domain wall motion

著者名: 住田 千尋(岩手大学),菊池 弘昭(岩手大学),植竹 宏明(東北学院大学),薮上 信(東北学院大学)

著者名(英語): Chihiro Sumida(Iwate University),Hiroaki Kikuchi(Iwate Univeersity),Hiroaki Uetake(Tohoku Gakuin University),Shin Yabukami(Tohoku Gakuin University)

キーワード: 磁気インピーダンス|薄膜|磁壁|共鳴|magnetoimpedance|thin film|domain wall|resonance

要約(日本語): これまでに薄膜磁気インピーダンス素子の幅を狭くした場合に、数10 MHzの低周波領域でピークを示すことを報告してきた。ここではそれらの振る舞いを実験的に明らかにするとともにそれらについて磁壁の方程式や磁区観察の結果に基づいて考察したので報告する。

要約(英語): We have reported the anomaly impedance profiles in the relatively low frequency for the thin-film MI elements with narrower width. The behaviors was evaluated experimentally and analyzed on the basis of domain wall equation and domain observation using domain scope.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 931 Kバイト

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