フラックスゲートセンサに用いられるアモルファス磁性材料の磁区構造制御

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG16229

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2016/12/08

タイトル(英語): Magnetic Domain Control of Amorphous Materials for Fluxgate Sensor

著者名: 竹澤 昌晃(九州工業大学),山本 竜馬(九州工業大学),森本 祐治(九州工業大学),宮田 大史(九州工業大学)

著者名(英語): Masaaki Takezawa(Kyushu Institute of Technology),Ryoma Yamamoto(Kyushu Institute of Technology),Yuji Morimoto(Kyushu Institute of Technology),Hiroshi Miyata(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: 磁区構造|Ｋｅｒｒ効果|フラックスゲート磁気センサ|磁性アモルファス薄帯|Magnetic domain structure|Kerr effect|fluxgate magnetic sensor|magnetic amorphous ribbon

要約(日本語): 本研究では，高磁歪を有するFe基アモルファス磁性薄帯に15 MPaの張力を印加することで磁気異方性を誘導して残留歪みによる複雑な磁区構造を消失できることを磁区観察により明らかにした。また，その磁区構造制御によってセンサ感度を改善でき，従来20 mm長であった磁性コア長を5 mmまで小型化しても，従来の測定系で検出可能なセンサ出力が得られた。

要約(英語): A fluxgate sensor was fabricated using tensioned Fe-based high-magnetostrictive amorphous core to control the domain structure, enabling sensor miniaturization up to 5 mm. In the case of the tensile stress of 15 MPa, maze domain structures changed to simple stripe domain structures.

原稿種別: 日本語

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