反応スパッタ法によるエピタキシャルYbFe2O4薄膜の作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG17203

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2017/11/30

タイトル(英語): Epitaxial growth of YbFe2O4 thin films by reactive sputtering technique

著者名: 藤井 達生(岡山大学),沼田 知也(岡山大学),中畑 大輝(岡山大学),池田 直(岡山大学)

著者名(英語): Tatsuo FUJII(Okayama University),Tomoya Numata(Okayama University),Hiroki Nakahata(Okayama University),Naoshi Ikeda(Okayama University)

要約(日本語): 希土類鉄酸化物YbFe2O4は、磁性と誘電性が協奏するマルチフェロ物質として知られている。本研究では、FeとYb2O3ターゲットからなる同時スパッタ法を用いることで、サファイア基板上にエピタキシャルYbFe2O4薄膜の合成に成功した。しかも、基板上にFe3O4バッファ層を形成させると、非常に高品位の薄膜が得られることが判った。得られた薄膜の構造や物性についても報告する。

要約(英語): Rare earth iron oxide, YbFe2O4, has attracted attentions as one of the multiferroic materials coexisted with ferroelectricity and ferromagnetism. YbFe2O4 films were epitaxially formed on sapphire substrate by using reactive co-sputtering technique of Fe and Yb2O3 targets. The Fe3O4 buffer layer supported the formation of well-defined films.

原稿種別: 日本語

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