IGBTの最適駆動条件に関する基礎的考察
IGBTの最適駆動条件に関する基礎的考察
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: MAG17206
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会
発行日: 2017/12/01
タイトル(英語): A Basic Study on Optimum Driving Conditions of IGBTs
著者名: 鎌倉 昂亮(福山大学),川上 薫貴(福山大学),菅原 聡(福山大学)
著者名(英語): Kousuke Kamakura(Fukuyama University),Masaki Kawakami(Fukuyama University),Satoshi Sugahara(Fukuyama University)
キーワード: 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)|ゲート駆動|電磁妨害|スイッチング損失|Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)|Gate drive|Electro-magnetic interference (EMI)|Switching loss
要約(日本語): ワイドバンドギャップ半導体デバイスの実用化により,インバータに代表されるパワーエレクトロニクス機器のより大電力な用途への適用が期待視されている.しかしこのことは,パワー半導体デバイスのスイッチング動作に伴うEMIが増加するという問題を抱えている.本報告では,インバータを構成するIGBTを例に,EMIを低減するための最適な駆動条件についてPSpiceを用いて解析を行った結果を述べる.
要約(英語): Recently wide bandgap semiconductor devices have been rapidly developed; therefore, it is expected that power electronics devices such as inverters will be applied to higher power applications. However, EMI caused by the switching operations of the power semiconductor devices increases. This paper describes simulation results of optimum drive conditions of IGBTs forming inverters to reduce the EMI by PSpice.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,463 Kバイト
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