単層アモルファス膜を用いた薄膜磁気インピーダンス素子の変化率
単層アモルファス膜を用いた薄膜磁気インピーダンス素子の変化率
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: MAG20002
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会
発行日: 2020/03/05
タイトル(英語): Impedance change ratio of thin film magnetoimpedance element using amorphous single layer
著者名: 菊池 弘昭(岩手大学),梅崎 泰生(岩手大学),島 拓也(岩手大学)
著者名(英語): Hiroaki Kikuchi(Iwate University),Taisei Umezaki(Iwate University),Takuya Shima(Iwate University)
キーワード: 磁気インピーダンス|薄膜|単層|magnetoimpedance|thin-film|single layer
要約(日本語): 厚さ数ミクロンで長さを1 mm以下と小型化した薄膜MI素子について磁壁共鳴や強磁性共鳴も寄与する広範囲な周波数領域において、インピーダンスの周波数特性やインピーダンス変化率の挙動について検討し、最大で300%の変化率を得たので報告する。
要約(英語): We examined the properties of micromachined thin-film magnetoimpedance elements with a length less than 1 mm and evaluated their impedance changing ratio ranging from 100 MHz to 1 GHz. Maximum impedance ratio achieved 300% at 1 GHz, which is a very large value as thin film properties.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 760 Kバイト
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