Ni/Pt 2層膜における一方向性スピンホール磁気抵抗効果の測定

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG20068

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2020/08/03

タイトル(英語): Measurement of Unidirectional spin hall magnetoresistance in Ni/Pt bilayers

著者名: 瀬水 ひかり(慶應義塾大学),岡野 元基(理化学研究所),山野井 一人(慶應義塾大学),能崎 幸雄(慶應義塾大学)

著者名(英語): Hikari Semizu(Keio University),Genki Okano(RIKEN),Kazuto Yamanoi(Keio University),Yukio Nozaki(Keio University )

キーワード: 一方向性スピンホール磁気抵抗効果|スピン依存散乱|Unidirectional spin-hall magnetoresistance|Spin-dependent scattering

要約(日本語): 強磁性(FM)と重金属 (HM)において、電気抵抗が磁化と電流の相対角に対し一方向性の変化を示す一方向性磁気抵抗効果(UMR)が発現する。UMRの起源には、FM層のスピンに依存するSD-UMRとスピンフリップによるSF-UMRがあると言われている。前者については理論的に説明がなされており、FMのスピン偏極率に依存すると予測されている。本研究ではFMにNi、HMにPtを用いた素子でUMR測定を行い、SD-UMRの式との比較を行った。

要約(英語): Recently, unidirectional magnetoresistance (UMR) effect has been observed in Ferromagne/Heavy metal bilayers. UMR has two different origins: one is called spin-dependent UMR and another is called spin-flip UMR. we found that the SF UMR was not neglegible in the bilayer consisting of FM with relatively low Curie temperature.

原稿種別: 日本語

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