移動エントロピーを用いた培養神経回路網におけるノルアドレナリン修飾作用の解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MBE13040

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 医用・生体工学研究会

発行日: 2013/03/22

タイトル(英語): Analysis of noradrenergic modulation of cultured neuronal networks using transfer entropy

著者名: 門倉 智之助(東京大学),磯村 拓哉(東京大学),有松 和之(東京大学),小谷 潔(東京大学),神保 泰彦(東京大学)

著者名(英語): Kadokura Tomonosuke(The University of Tokyo),Isomura Takuya(The University of Tokyo),Arimatsu Kazuyuki(The University of Tokyo),Kotani Kiyoshi(The University of Tokyo),Jimbo Yasuhiko(The University of Tokyo)

キーワード: ノルアドレナリン|微小電極アレイ|移動エントロピー|神経修飾作用|シナプス可塑性|培養神経回路網|noradrenaline|microelectrode array|transfer entropy|neuromodulation|synaptic plasticity|cultured neuronal networks

要約(日本語): 培養神経回路網におけるNA修飾作用を，微小電極アレイを用いた電気活動計測と遅延付き移動エントロピー(DTE)による解析から評価した．NA投与による神経細胞の発火率とDTEの上昇が確認され，NA存在下で高頻度電気刺激を印加すると，DTEが減少した結合が多く見られた．これらの結果から，NA存在下における高頻度電気刺激に起因する神経細胞間のシナプス結合強度減少が示唆され，NAが関与する記憶定着の機序解明に繋がると考えられる．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,059 Kバイト