MgB2超薄膜と接合の作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC10006

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス研究会

発行日: 2010/10/31

タイトル(英語): Fabrication of MgB2 ultra thin films and Josephson junctions

著者名: 新原 佳紘(東京農工大学),相原 将人(東京農工大学),内藤 方夫(東京農工大学),御田村 直樹(名古屋大学),赤池 宏之(名古屋大学),藤巻 朗(名古屋大学)

著者名(英語): Yoshihiro Niihara(Tokyo University of Agriculture and Technology),Masato Aibara(Tokyo University of Agriculture and Technology),Michio Naito(Tokyo University of Agriculture and Technology),Naoki Mitamura(Nagoya University),Hiroyuki Akaike(Nagoya University),Akira Fujimaki(Nagoya University)

キーワード: 分子線エピタキシー|ジョセフソン接合|超薄膜|ＭｇＢ２|ＭｇＢ２／Ｂ／ＭｇＢ２|Molecular beam epitaxy|Josephson junctions|ultra thin films|MgB2|MgB2/B/MgB2

要約(日本語): 本研究では、MgB2を用いたジョセフソン接合の作製技術の確立を目的とし、MgB2薄膜の作製条件の改善や接合の中間層の選定に取り組んでいる。三層積層型の接合の特性の改善には、上部電極の成長に支障をきたさない下部電極および絶縁層の作製と上部電極の界面付近の特性の向上が必要であると考えられる。今回は絶縁層にBを用いた接合について、上部電極作製条件の改善を試みたのでこれを報告する。

要約(英語): MgB2 Josephson junctions with B barrier that we had fabricated worked around 10 K. It is far below the film’s critical temperature, because of deterioratation of superconductivity at the interface.In this time, we report our efforts to improve the interface between the barrier layer and upper MgB2 electrode.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 811 Kバイト