AE1-xKxFe2As2 (AE = Sr, Ba) の MBE 成長

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC10020

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス研究会

発行日: 2010/10/31

タイトル(英語): Molecular Beam Epitaxy Growth of AE1-xKxFe2As2 (AE = Sr, Ba)

著者名: 武田 宗一郎(東京農工大学),上田 真也(東京農工大学),山岸 健(東京農工大学),高野 志郎(東京農工大学),光田 暁弘(九州大学),内藤 方夫(東京農工大学)

著者名(英語): Soichiro Takeda(Tokyo University of Agriculture and Technology),Shinya Ueda(Tokyo University of Agriculture and Technology),Takeshi Yamagishi(Tokyo University of Agriculture and Technology),Shiro Takano(Tokyo University of Agriculture and Technology),Akihiro Mitsuda(Kyusyu University),Michio Naito(Tokyo University of Agriculture and Technology)

キーワード: 分子線エピタキシー|鉄系超伝導体|Ｓｒ１－ｘＫｘＦｅ２Ａｓ２|Ｂａ１－ｘＫｘＦｅ２Ａｓ２|配向膜|低温成長|Molecular beam epitaxy|Iron-based superconductor|Sr1-xKxFe2As2|Ba1-xKxFe2As2|Epitaxial films|Low-temperature growth

要約(日本語): K　の蒸気圧が高いため、（AE,K）Fe2As2 薄膜の作製は困難である。しかし我々は低温成長 (<　350 ℃)、低 As 圧 MBE 成長により Sr1-xKxFe2As2, Ba1-xKxFe2As2 単結晶薄膜作製に成功した。転移温度 Tcon は Sr0.55K0.45Fe2As2 で 33.4 K, Ba0.65K0.35Fe2As2 で 38.3 Kである。

要約(英語): The superconducting (AE,K)Fe2As2 films have been difficult to prepare because of the volatility of K. However, we have succeeded in growing single-crystalline films of superconducting Sr1-xKxFe2As2 and Ba1-xKxFe2As2 at low temperature (< 350 ℃) in reduced As flux. The resultant films showed Tcon = 33.4 K, 38.3 K for Sr0.55K0.45Fe2As2, Ba0.65K0.35Fe2As2 thin films respectively.

原稿種別: 日本語

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