ジョセフソン接合MgB2/CaF2/MgB2の作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC12002

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス研究会

発行日: 2012/12/06

タイトル(英語): Fabrication and Characteristics of MgB2/CaF2/MgB2 Josephson Junctions

著者名: 目出 和也(東京農工大学)

著者名(英語): Mede Kazuya(Tokyo University of Agriculture and Technology)

キーワード: 二硼化マグネシウム|フッ化カルシウム|ジョセフソン接合|トンネル接合|分子線エピタキシー法|薄膜|MgB2|CaF2|Josephson junction|Molecular Beam Epitaxy|Tunnel junction|Thin film

要約(日本語): MgB2（Tc ～40 K）は応用上様々な利点を持つことから、ポストニオブ超伝導材料として期待されている。私たちはMgB2を用いたジョセフソン接合の作製している。今回報告するのは、CaF2をバリヤ層に用いたMgB2/CaF2/MgB2接合である。バリヤ厚を10Å～80Åの間で変化させて接合を作製した。CaF2厚20,40Åのものがよい特性を示し、特にCaF2厚40Å、接合面積25μm×25μmの接合は、Jc @4.2 K = 27 A/cm2, IcRn@4.2 K = 1.18 mVの特性を示した。また、Ic は32Kまで観測できた。

要約(英語): MgB2, the Tc ～40 K, is an attractive alternative for superconducting electronics applications. We fabricate Josephson junctions of MgB2. In this presentation, we describe characteristics of Josephson junctions MgB2/CaF2/ MgB2. The CaF2 barrier thickness was varied from 10 to 80 . The junctions with 20-40 thick CaF2 showed the most promising characteristics. One junction exhibited Jc@4.2 K = 27 A/cm2, IcRn@4.2 K = 1.18 mV, and Ic observed up to 32 K.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 681 Kバイト