(Ba,K)Fe2As2 の分子線エピタキシー(MBE)成長

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC12012

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス研究会

発行日: 2012/12/06

タイトル(英語): Growth of (Ba,K)Fe2As2 by MBE

著者名: 菅原 弘晃(東京農工大学),上田 真也(東京農工大学),高野 志郎(東京農工大学),渡辺 大樹(東京農工大学),武田 宗一郎(東京農工大学),内藤 方夫(東京農工大学)

著者名(英語): Sugawara Hiroaki(Tokyo University of Agriculture and Technology),Ueda Shinya(Tokyo University of Agriculture and Technology),Takano Shiro(Tokyo University of Agriculture and Technology),Watanabe Daiki(Tokyo University of Agriculture and Technology),Takeda Soichiro(Tokyo University of Agriculture and Technology),Naito Michio(Tokyo University of Agriculture and Technology)

キーワード: 分子線エピタキシー|エピタキシャル膜|鉄系超伝導|フッ化物基板|エピタキシャル歪み|Molecular beam epitaxy|Epitaxial films|Iron-based superconductor|Fluoride substrates|Epitaxial strain

要約(日本語): 我々は、レート制御されたMBEを用いて(Ba,K)Fe2As2 のような鉄系超伝導体122系のエピタキシャル薄膜を成長させている。高品質エピタキシャル薄膜はより信頼できる実験データが得られる科学的側面だけではなく、ジョセフソン接合やSQUIDのような鉄系超伝導デバイスを発展させる技術的側面からも必要とされる。さらに、エピタキシャル歪みによって、Tcを高くする試みも行っている。本交流会では、現在の鉄系超伝導体122系のMBE成長の状況を発表する。

要約(英語): We have been growing epitaxial films of the Fe-based 122 compounds such as (Ba,K)Fe2As2 using a rate-controlled MBE. High-quality epitaxial films are required not only from a scientific aspect to obtain more reliable experimental data but also from a technological aspect to develop Fe-based superconducting devices, such as Josephson junctions and SQUIDs. Furthermore we are also attempting at increasing Tc by epitaxial strain. In this meeting, I present our current status of MBE growth of Fe-based 122 compounds.

原稿種別: 日本語

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