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塩素ドープによるFF-MOD法Y123薄膜への新規ピンニングセンターの導入

塩素ドープによるFF-MOD法Y123薄膜への新規ピンニングセンターの導入

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC13005

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス研究会

発行日: 2013/11/17

タイトル(英語): Introduction of the new pinning center to FF-MOD method Y123 thin film by a chlorine dope

著者名: 元木 貴則(東京大学)

著者名(英語): MOTOKI Takanori(The University of Tokyo)

キーワード: Y123薄膜|フッ素フリーMOD|磁束ピンニング|臨界電流特性|塩素ドープ|Y123 thin films|Fluorine Free MOD|flux pinning|critical current properties|chlorine-doping

要約(日本語): フッ素フリーMOD(FF-MOD)法によるRE123薄膜の作製は成膜速度が非常に早く低コストであることから工業化に適している。しかし、有効なピンニングセンターが導入できておらず、磁場中で高い臨界電流密度Jcを示す薄膜が得られていない。本研究で、原料溶液に微量の塩酸を加えることによってY123の配向を妨げずに酸塩化物が析出することを見出した。塩素ドープY123薄膜の微細組織およびJc特性改善について報告する。

要約(英語): Fluorine Free MOD method is suitable for industrial application due to its low production cost. However, effective pinning centers have not been introduced thus far. In this study, by mixing raw solution with dilute hydrochloric acid, certain oxychloride was precipitated in the film without degrading crystallinity of Y123 matrix and largely improved Jc was observed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 805 Kバイト

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