c軸配向Hg(Re)1212バルクの作製とその臨界電流密度特性の向上

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC13007

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス研究会

発行日: 2013/11/17

タイトル(英語): Production of c-axis aligned Hg(Re)1212 bulk and improvement in the critical current density characteristic

著者名: 椎野 匠(東京大学)

著者名(英語): SHIINO Takumi(The University of Tokyo)

キーワード: 水銀系銅酸化物超電導体|Ｈｇ（Ｒｅ）１２１２|多結晶材料|ｃ軸配向|スリップキャスト法|磁場配向|Hg-based cuprate superconductors|Hg(Re)1212|polycrystalline materials|c-axis orientation|slip-casting process|magnetic grain orientation technique

要約(日本語): Hg(Re)1212はキャリアのオーバードープ状態が容易に実現でき粒間結合に優れた多結晶材料の創成が期待できる銅酸化物超伝導体である。Hg(Re)1212はc軸を磁化容易軸に持ち磁場配向によるc軸配向体の作製が可能である。本研究では、磁場中スリップキャスト法によってc軸配向した組織を得、これに続く再焼成の条件を最適化することで高臨界電流特性のHg(Re)1212バルクを作製することを目指している。

要約(英語): The carrier overdoped state of Hg(Re)1212 is easily attained, so Hg(Re)1212 is a promising candidate for polycrystalline materials with good grain-coupling. c-axis aligned Hg(Re)1212 can be prepared by magnetic grain orientation technique because of its magnetization easy axis, c-axis. In this study, fabrication of Hg(Re)1212 bulks with high Jc is attempted by preparing c-axis aligned texture via slip-casting process in magnetic field and optimizing condition of following re-sintering.

原稿種別: 日本語

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