HPCVD法によるMgB2薄膜結晶の生成

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC13008

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス研究会

発行日: 2013/11/17

タイトル(英語): The characteristics MgB2 films using hybrid physical-chemical vapor deposition method

著者名: 佐川 真太郎(東京農工大学),内藤 方夫(東京農工大学)

著者名(英語): SAGAWA Shintaro(Tokyo University of Agriculture and Technology),NAITO Michio(Tokyo University of Agriculture and Technology)

キーワード: 二ホウ化マグネシウム|薄膜成長|ＨＰＣＶＤ法|エピタキシー|転移温度|デカボラン|magnesium diboride|thin film growth|HPCVD method|epitaxy|transition temperature|decaborane B10H14

要約(日本語): 二ホウ化マグネシウム（MgB2）は、未来の超伝導エレクトロニクスに対し、大きなポテンシャルを有している。MgB2を成長させる上で最も重要な問題は、相を安定させるために、高いMg蒸気圧が必要であるという点である。HPCVD（Hybrid physical-chemical vapor deposition）法は、高いMg蒸気圧を生み出し、高純度な薄膜の成長に対してクリーンな環境を保つことができるため、MgB2の薄膜成長における最も有効な方法である。薄膜は、Al2O3基板のc面上に成長させた。同様に、SiC基板への成膜も行った。

要約(英語): Magnesium diboride (MgB2) has significant potential for future electronics. The most serious problem is the high Mg vapor pressure required for the phase stability. Hybrid physical-chemical vapor deposition (HPCVD) has been the most effective technique for depositing MgB2 thin films. It generates high magnesium vapor pressures and provides a clean environment for the growth of high purity MgB2 films. The films were deposited on c-cut Al2O3 and SiC substrates.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 945 Kバイト