分子線エピタキシー法による鉄系超伝導体SmFeAs(O,F)薄膜の１ステップ成長

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC13015

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス研究会

発行日: 2013/11/17

タイトル(英語): One-step Growth superconducting SmFeAs(O,F) Thin Films by Molecular Beam Epitaxy

著者名: 常木 孝信(東京農工大学),菅原 弘晃(東京農工大学),渡辺 大樹(東京農工大学),内藤 方夫(東京農工大学)

著者名(英語): Tsuneki Takanobu(Tokyo University of Agriculture and Technology),Sugawara Hiroaki(Tokyo University of Agriculture and Technology),Watanabe Daiki(Tokyo University of Agriculture and Technology),Naito Michio(Tokyo University of Agriculture and Technology)

キーワード: 分子線エピタキシー|鉄系超伝導体|１ステップ成長|ＳｍＦｅＡｓ（Ｏ，Ｆ）|フッ化鉄|フッ素源|Molecular Beam Epitaxy|Iron-based superconductor|one-step growth|SmFeAs(O|F)|FeF3|fluorine source

要約(日本語): 1111系SmFeAs(O,F)は鉄系超伝導体の中で最も高いTc (56K)を示す。またⅢ-Ⅴ族半導体との化学的な相性が良いと推測されるため、超伝導デバイスに応用可能な薄膜作製技術が求められている。しかし、適切なフッ素源がないため、薄膜をポストアニールではなく、１ステップで成長させることは難しい。本研究では分子線エピタキシー法によりフッ素源を用いた１ステップでの成膜を試みている。特にFeF3から放出されるフッ素を用いる手法を紹介する。

要約(英語): We report on our attempts at preparing SmFeAs(O,F) film by one-step growth. The key issue is how to supply fluorine (F) to films during growth. F can be supplied from FeF3, namely, atomic F accompanied with decomposition of FeF3 (FeF3→FeF3-x+xF). The one-step growth technologies are required to develop iron-based superconducting devices.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 694 Kバイト