分子線エピタキシー成長によるCaNiN薄膜の作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC13019

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス研究会

発行日: 2013/11/17

タイトル(英語): The epitaxial growth of CaNiN by employing MBE system

著者名: 武田 力丸(東京農工大学)

著者名(英語): Takeda Rikimaru(Tokyo University of Agriculture and Technology)

キーワード: 窒化物超伝導体分子線エピタキシー|薄膜合成|低温合成|カルシウム窒化物|ニッケル窒化物|ＲＨＥＥＤ|Superconducting nitrides Molecular Beam Epitaxial|thin-film synthesis|Low-temperature synthesis|Ca nitrides|Ni nitrides|Reflection High Energy Electron Diffraction

要約(日本語): 窒化物は酸化物に比べ合成が困難で、知られている物質も少ない。このため未発見の超伝導物質が潜んでいる事が期待できる物質である。(Sr,La)CuO2 は無限層構造をもち、Tc=45Kで超伝導を示す酸化物である。これに対して無限層構造CaNiN2という仮想的な窒化物がある。CaNiN2のNiN2面からNが規則的に欠損したCaNiNは実在する。今回MBE装置を用いてCaNiNの成長条件を探った。

要約(英語): The syntheses of nitrides is often quite different from those of oxides. Indeed, unique features are often encountered in nitrides. Infinite-layer (Sr,La)CuO2 is superconducting oxide(Tc=45K). On the other hand, infinite-layer CaNiN2 with NiN2 planes is a hypothetical compound. CaNiN is a existing compound with ordered N vacancies in CaNiN2. We report the epitaxial growth of CaNiN by employing MBE system.

原稿種別: 日本語

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