新規BiS2系超電導体Bi2(O,F)S2の合成と物性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC14007

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス研究会

発行日: 2014/11/24

タイトル(英語): Synthesis and physical properties of a new BiS2-based superconductor Bi2(O,F)2S2

著者名: 岡田 朋之(東京大学)

著者名(英語): Okada Tomoyuki(University of Tokyo)

キーワード: ＢｉＳ２系超電導体|層状化合物|固相反応|トポ化学反応|二フッ化キセノン|高圧アニ―ル|BiS2-based superconductor|layered compound|solid-state reaction|topochemical reaction|XeF2|high pressure annealing

要約(日本語): 2012年に発見されたBiS2系超伝導体は、岩塩型BiS2超電導層と、種々のブロック層が積層した層状構造を有する。代表例としてRE(O,F)BiS2 (RE = La ~ Nd) が知られるが、私はそのREをBiで全置換した新規超伝導体Bi2(O,F)S2 (Tc = 5.2 K) を発見した。合成にあたっては、固相反応法で合成したノンドープBi2OS2に、XeF2を用いてフッ素を導入するというトポ化学的手法を用いた。また、BiS2系超電導体に特有の効果として知られる高圧アニ―ルによるTcの変化についても調べた。

要約(英語): A new layered BiS2-based superconductor, Bi2(O,F)S2, with Tc = 5.2 K is discovered. Bi2(O,F)S2 is synthesized by the topochemical reaction, where F is partially substituted using XeF2 for the O-site of the undoped Bi2OS2 synthesized via solid-state reaction. In addition, the effect of high-pressure annealing was examined.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,382 Kバイト