酸化物及びフッ化物基板上の(Ba,K)Fe2As2薄膜の成長過程

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC14013

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス研究会

発行日: 2014/11/24

タイトル(英語): Growth process of (Ba,K)Fe2As2 on oxide and fluoride substrates

著者名: 渡辺 大樹(東京農工大学),迫田 將仁(東京農工大学),光田 暁弘(九州大学),内藤 方夫(東京農工大学)

著者名(英語): Watanabe Daiki(Tokyo university of agriculture and technology),Sakoda Masahito(Tokyo university of agriculture and technology),Mitsuda Akihiro(Kyushu University),Naito Michio(Tokyo university of agriculture and technology)

キーワード: 鉄系超伝導体|ＡＥ１－ｘＫｘＦｅ２Ａｓ２|分子線エピタキシー|エピタキシャル薄膜|フッ化物基板|酸化物基板|Iron-based superconductor|AE1-xKxFe2As2|Molecular beam epitaxy|Epitaxial films|Fluoride substrates|Oxide substrates

要約(日本語): 我々はこれまでにMBE法による(Ba,K)Fe2As2の作製を行ってきた。その成長温度の上限はCaF2基板上で~350℃、r-cut Al2O3基板上では~315℃であった。これはK-O(278kJ/mol)およびK-F(498kJ/mol)の結合による吸着率の差と考えられる。そこで各基板上にKのみもしくはKとAsを同時供給し、堆積する上限温度を調べた。その結果、どちらの場合でもCaF2基板上ではr-cut Al2O3基板上に比べて20℃程度高温でも堆積することがわかった。この温度差は基板による(Ba,K)Fe2As2の成長温度の差に対応すると考えられる。

要約(英語): In our study, the growth temperature for (Ba,K)Fe2As2 on r-cut Al2O3 substrate and CaF2 substrate is ~315℃ and ~350℃, respectively. The bond energies: 278kJ/mol for K-O, and 498kJ/mol for K-F seem to make the growth temperature different for each substrate. We report the adsorption of K plays important role to fabricate (Ba,K)Fe2As2.

原稿種別: 日本語

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