オールMgB2ジョセフソン接合の作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC14018

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス研究会

発行日: 2014/11/24

タイトル(英語): Fabrication of all MgB2 Josephson junction

著者名: 目出 和也(東京農工大学),迫田 將仁(東京農工大学),内藤 方夫(東京農工大学)

著者名(英語): MEDE Kazuya(Tokyo university of agriculture and technology),Sakoda Masahito(Tokyo university of agriculture and technology),Naito Michio(Tokyo university of agriculture and technology)

キーワード: 二硼化マグネシウム|フッ化カルシウム|ジョセフソン接合|分子線エピタキシー法|トンネル接合|薄膜|MgB2|CaF2|Josephson Junction|Molecular Beam Epitaxy|Tunnel junction|Thin film

要約(日本語): MgB2 (Tc ~40 K) は応用上様々な利点を持つことから、ポストニオブ超伝導材料として期待されている。本研究では、液体水素超伝導エレクトロニクスの実現に向け、良質なMgB2を用いたジョセフソン接合の作製を目指す。今回報告するのは、フッ化物バリヤ層を用いたジョセフソン接合である。CaF2バリヤ層を用いた接合( バリヤ厚20 Å、接合面積25 μm × 25 μm )では、Jc@4.2 K = 38 A/cm2, IcRn@4.2 K = 1.26 mVの特性を示した。

要約(英語): MgB2,the Tc ~ 40 K, is an attractive for superconducting electronics applications. Josephson Junctions (JJ) are key elements of superconducting electronics, so we have been trying to fabricate high quality all-MgB2 JJ. In this presentation, we report our attempts to fabricate all-MgB2 JJ using fluoride barriers. The junction with CaF2 showed Jc@4.2 K = 38 A/cm2, IcRn@4.2 K = 1.26 mV.

原稿種別: 日本語

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