SDMG法による全c軸成長領域RE123溶融凝固バルクの育成
SDMG法による全c軸成長領域RE123溶融凝固バルクの育成
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: MC20001,ASC20010
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス/【B】電力・エネルギー部門 超電導機器合同研究会
発行日: 2020/11/19
タイトル(英語): Synthesis of all c-growth RE123 melt-solidified bulks by SDMG method
著者名: 笹田 廉陛(青山学院大学),富久 琢磨(青山学院大学),元木 貴則(青山学院大学),下山 淳一(青山学院大学)
著者名(英語): Rempei Sasada(Aoyama Gakuin University),Takuma Tomihisa(Aoyama Gakuin University),Takanori Motoki(Aoyama Gakuin University),Jun-ichi Shimoyama(Aoyama Gakuin University)
キーワード: 超伝導|RE123|溶融凝固|結晶成長|超伝導特性|c軸|superconductivity|RE123|melt-solidification|crystal growth|superconducting properties|c-axis
要約(日本語): RE123溶融凝固バルクは一般にトップシード法によって作製されるが、複数の成長領域を含むことによる不均一さが問題になっていた。本研究では我々が最近開発した単一方向成長溶融凝固(SDMG)法により、本質的に超伝導特性に優れるc軸成長領域だけから成るRE123溶融凝固バルクの育成および物性評価を行っている。発表では、種結晶であるGd123溶融凝固板の上におけるY123溶融凝固バルクの育成方法および結晶成長の支配因子と超伝導特性を報告する。
要約(英語): All c-growth Y123 melt-solidified bulks were successfully grown on Gd123 melt-solidified bulk plates which were used as seed crystals by SDMG method recently developed in our group. Procedures and conditions of the synthesis, predominant factors affecting crystal growth and superconducting properties of the bulks will be reported.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,566 Kバイト
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