SiC MOSFETのゲート駆動条件がスイッチング特性に及ぼす影響に関する実験的検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MD20073,RM20048,VT20011

グループ名: 【D】産業応用部門 モータドライブ/【D】産業応用部門 回転機/【D】産業応用部門 自動車合同研究会

発行日: 2020/05/14

タイトル(英語): An experimental study on the effects of gate drive condition of SiC MOSFET on switching behavior

著者名: 阪部 智城(大阪大学),井渕 貴章(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Tomoki Sakabe(Osaka University),Takaaki Ibuchi(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|単相フルブリッジインバータ|ゲートドライブ回路|ゲート駆動条件|サージ|リンギング|SiC MOSFET|single phase full bridge inverter(H bridge)|gate drive circuit|gate drive conditions|surge|ringing oscillation

要約(日本語): 　ワイドバンドギャップパワー半導体デバイスの高速・高周波数スイッチング動作により, 電力変換回路の低損失化や小型・軽量化が期待されている. 一方で高速スイッチング動作によって, 電力変換回路から発生する電磁雑音の影響が大きくなることが懸念される. _x000D_ 　本報告では, 電磁雑音の発生に関係するスイッチング特性に焦点を当て, SiC MOSFETのゲート駆動条件がスイッチング特性に対して及ぼす影響を実験的に評価する.

要約(英語): Fast and high-frequency switching operation of wide bandgap power semiconductor devices is expected to downsize power converters and reduce power conversion losses. However, fast switching operation also causes surge and ringing oscillation of voltage and current in transient, and these lead to induce electro-magnetic interference (EMI) noise. _x000D_ This report experimentally evaluates the effects of gate drive condition of SiC MOSFET on its switching behavior intended to do the design of low EMI noise power converter.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,172 Kバイト