UVナノインプリントを用いた高アスペクト比Siナノ構造体の作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS06021

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門　マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2006/05/15

タイトル(英語): Fabrication of high aspect ratio silicon nanostructures using UV nanoimprint lithography

著者名: 大野 浩志(早稲田大学),石束真典 (早稲田大学),水野潤 (早稲田大学),庄子周一 (早稲田大学),太田口誠 (東洋合成工業),平澤玉乃 (東洋合成工業),坂井信支 (東洋合成工業)

著者名(英語): Hiroshi Ono(Waseda University),Makoto Fukuhara(Waseda University),Masanori Ishizuka(Waseda University),Jun Mizuno(Waseda University),Shuichi Shoji(Waseda University),Makoto Ohtaguchi(Toyo Gosei Co.,Ltd.),Tamano Hirasawa(Toyo Gosei Co.,Ltd.),Nobuji Sakai(Toyo Gosei Co.,Ltd.)

キーワード: UVナノインプリント|高アスペクト比|ナノ構造体|反応性イオンエッチング|ナノインプリント装置

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,761 Kバイト