単結晶シリコンのTEM内引張試験法の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS08016

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門　マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2008/06/12

タイトル(英語): Development of Testing of Single Crystal Silicon in Tension in TEM

著者名: 石原 英和(名古屋大学),中尾 茂樹(名古屋大学),安藤 妙子(名古屋大学),中島 正博(名古屋大学),荒井 重勇(名古屋大学),斎藤 徳之(名古屋大学),福田 敏男(名古屋大学),佐藤 一雄(名古屋大学)

著者名(英語): Hidekazu Ishihara(Nagoya University),Shigeki Nakao(Nagoya University),Taeko Ando(Nagoya University),Masahiro Nakajima(Nagoya University),Shigeo Arai(Nagoya University),Noriyuki Saito(Nagoya University),Toshio Fukuda(Nagoya University),Kazuo Sato(Nagoya University)

キーワード: 単結晶シリコン|薄膜|引張試験|転位|TEM|single crystal silicon|thin film|tensile test|dislocation|TEM

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,245 Kバイト