MEMS応用に向けたIII族窒化物半導体積層構造の基礎検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS09007

グループ名: 【E】センサ･マイクロマシン部門　マイクロマシン･センサシステム研究会

発行日: 2009/07/23

タイトル(英語): Fundamental study on III-nitride semiconductor layered structures for MEMS application

著者名: 福田 裕司(首都大学東京),束原 肇(首都大学東京),中村 成志(首都大学東京),奥村 次徳(首都大学東京)

著者名(英語): Yuji Fukuda(Tokyo Metropolitan University),Hajime Tsukahara(Tokyo Metropolitan University),Seiji Nakamura(Tokyo Metropolitan University),Tsugunori Okumura(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: AlGaN.GaN|2DEG|MEMS|ピエゾ分極|格子歪み|マイクロオリガミ|AlGaN.GaN|2DEG|MEMS|Piezoelectric charges|lattice strain|micro-origami

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 546 Kバイト