光電気化学エッチングにより作製した静電駆動単結晶SiCブリッジ構造

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS10002

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2010/06/17

タイトル(英語): Fabrication of electrostatic-actuated single-crystalline SiC bridge structures by using photoelectrochemical etching

著者名: 渡辺 直樹(京都大学),木本 恒暢(京都大学),須田 淳(京都大学)

著者名(英語): Watanabe Naoki(Kyoto University),Kimoto Tsunenobu(Kyoto University),Suda Jun(Kyoto University)

キーワード: シリコンカーバイド|ブリッジ構造|光電気化学エッチング|静電駆動|厳環境ＭＥＭＳ|Silicon Carbide|Bridge structure|Photoelectrochemical etching|Electrostatic actuating|Harsh environment MEMS

要約(日本語): 厳環境MEMSへの展開を目的として、高品質単結晶シリコンカーバイド (SiC) のブリッジ構造の作製を行った。SiCはその化学的安定性のため加工方法が課題となるが、SiCホモエピタキシャル成長基板にpnp構造を形成し、光電気化学エッチングによるpn選択エッチングによりn型SiCを犠牲層とするプロセスで加工を行った。基板-ブリッジ間に電圧を印加することによるブリッジの静電駆動も確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,219 Kバイト