超臨界流体を用いたSiO2成膜における酸化剤効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS10004

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2010/06/17

タイトル(英語): Effect of oxidant addition on SiO2 deposition process using supercritical fluid

著者名: 山田 英雄(BEANSプロジェクト),百瀬 健(東京大学,BEANSプロジェクト),北村 康宏(デンソー),服部 有(デンソー),杉山 正和(東京大学,BEANSプロジェクト),霜垣 幸浩(東京大学,BEANSプロジェクト)

著者名(英語): Yamada Hideo|Momose Takeshi|Kitamura Yasuhiro|Hattori Yutaka|Sugiyama Masakazu|Shimogaki Yukihiro

キーワード: 超臨界流体|ＳｉＯ２製膜|高アスペクト比|埋め込み技術

要約(日本語): 超臨界二酸化炭素にTEOS（Tetraethyl orthosilicate)を溶解させて、基板のみを昇温し、基板表面にSiO2薄膜を堆積している。本手法によって基板温度250℃以下で成膜を行ってきたが、成膜が不安定であり、再現性に問題があった。そこで今回、基板温度の高温化および酸化剤として酸素を検討し、安定したSiO2成膜を実現したので、それを報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 832 Kバイト