LSIへのデバイス構造貼り付けによる高周波MEMSスイッチの作製法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS10005

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2010/06/17

タイトル(英語): Fabrication Process of RF MEMS Switches by Transferring Device Structures to LSI

著者名: 松尾 幸祐(東北大学),松村 武(情報通信研究機構,東北大学),江刺 正喜(東北大学),田中 秀治(東北大学)

著者名(英語): Matsuo Kousuke|Matsumura Takeshi|Esashi Masayoshi|Tanaka Syuji

キーワード: RF MEMS|Switch|CMOS|Integration

要約(日本語): LSI直上に高周波MEMSスイッチを集積化するプロセスを開発した。LSIはCMOSファンドリで試作した簡単なスイッチング回路である。機械特性と電気特性に優れる材料（CVDで成膜したSiO2）をMEMSに利用するため，あらかじめスイッチの形状を作り込んだウェハを，あらかじめ平坦化したLSIウェハにポリイミドを用いて接合し，その後，めっきによってMEMSとLSIとを電気的に接続した。本論文では，デバイスの設計，開発したプロセス技術，および明らかになった問題点を報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 968 Kバイト