低温環境下における単結晶シリコン薄膜の破壊挙動

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS10018

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2010/06/18

タイトル(英語): Fracture behavior of single-crystal-silicon at low temperature

著者名: 安藤 妙子(立命館大学),侘美 貴文(名古屋大学),佐藤 一雄(名古屋大学)

著者名(英語): Ando Taeko(Ritsumeikan University),Takumi Takafumi(Nagoya University),Sato Kazuo(Nagoya University)

キーワード: 単結晶シリコン|薄膜|低温|破壊靱性|温度依存性|single crystal silicon|thin film|low temperature|fracture toughness|temperature dependence

要約(日本語): 本報告では低温環境下における，単結晶シリコン薄膜の破壊挙動について評価について述べる．本研究では，これまで薄膜の機械的特性評価に用いたオンチップ引張試験を，MEMSの使用温度域である -100℃～100℃程度の温度環境下で実験可能な装置の開発を行った．次に，厚さ１ミクロンの単結晶シリコン薄膜の破壊靱性試験を実施し，-50 ℃程度で靱性値が急激に低下する，破壊の温度依存性を観察した．

要約(英語): Tensile fracture test of Si film using notched specimen was conducted in a temperature range of -100 degree C to RT. Fracture toughness transition was observed near -50 degree C for 1 micron-thick film. It became perfectly brittle below the transition temperature.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,104 Kバイト