水素アニールによるSiエッチング加工面のラフネス低減

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS11010

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2011/07/01

タイトル(英語): Roughness reduction of Si etched surface by using hydrogen annealing

著者名: 佐藤 裕一(東北大学),金森 義明(東北大学),羽根 一博(東北大学)

著者名(英語): Sato Yuichi(tohoku university),Kanamori Yoshiaki(tohoku university),Hane Kazuhiro(tohoku university)

キーワード: 水素アニール|表面粗さ|表面平坦化|反応性イオンエッチング|微細加工|Hydrogen annealing|Surface roughness|Surface smoothing|Reactive-ion-etching|Micromachining

要約(日本語): Siエッチング加工面の荒れは微小光学素子の光散乱損失の原因となり、この荒れを除去できれば、微小光学素子の高効率化が見込まれる。本研究では反応性イオンエッチングにより製作したSi貫通格子に水素アニール処理を施し、処理前後における格子側面の粗さをAFM及び共焦点レーザ顕微鏡で評価した。その結果、格子側面の粗さが低減されることを確認し、周期6μm以下の凹凸に関しては凹凸除去率が90%以上となった。

要約(英語): A Si surface roughness caused by a deep reactive-ion-etching was evaluated before and after hydrogen annealing. As a result of the hydrogen annealing, the sidewall roughness having the space frequency smaller than 6μm was decreased to less than one-tenth of that before the hydrogen annealing.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 788 Kバイト