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水素アニールによるラフネス低減における雰囲気依存性

水素アニールによるラフネス低減における雰囲気依存性

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS12006

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2012/06/11

タイトル(英語): Atmosphere dependency of roughness reduction by using hydrogen annealing

著者名: 阿部 洋輔(東北大学),金森 義明(東北大学),羽根 一博(東北大学)

著者名(英語): Abe Yosuke(Tohoku University),Kanamori Yoshiaki(Tohoku University),Hane Kazuhiro(Tohoku University)

キーワード: 水素アニール|表面粗さ|Si深堀エッチング|表面平坦化|微細加工|Hydrogen annealing|Surface roughness|Si deep etching|Surface smoothing|Micromachining

要約(日本語): 近年、微小電子機械は更なる微細化が求められており、安価にデバイスを形成・集積できる方法としてSi基板上への微細構造素子の形成が注目されている。しかし、これらを製作する際に、RIE等により生じる加工側面荒れがデバイスの損失の原因となる。水素アニール処理によって加工側面荒れを低減することが期待されている。本研究では、水素アニール処理を施すことで加工側面の粗さがどの程度低減されるかを評価した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,224 Kバイト

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