ステルスダイシングを利用した埋め込み式予約素子分離法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS12013

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2012/06/12

タイトル(英語): A Scribe-line-embedded device isolation method by stealth dicing machine

著者名: 木原 泰樹(東京大学),久保田 雅則(東京大学),森下 賢志(東京大学),百瀬 健(東京大学),近藤 愛子(東京大学),霜垣 幸浩(東京大学),三田 吉郎(東京大学)

著者名(英語): Kihara Taiki(The University of Tokyo),Kubota Masanori(The University of TOkyo),Morishita Satoshi(The University of Tokyo),Momose Takeshi(The University of Tokyo),Kondo Aiko(The University of Tokyo),Shimogaki Yukihiro(The University of Tokyo),Mita Yoshio(The University of Tokyo)

キーワード: 超臨界製膜|チップ分離|ステルスダイシング|SuperCritical Fluid Deposition|Die Isolation|LASER Stealth Dicing

要約(日本語): 超臨界流体製膜というな新しい製膜法でＭＥＭＳ素子の性能を画期的に向上させる研究を行なっている。同製膜手法は「いかなる隙間にも入り込んで」製膜する利点と表裏一体で、素子の絶縁が困難であるという問題がある。筆者らは、シリコンの内部に特異的に改質層を入れられる「ステルスダイシング」技術を用い、改質層の密度を「プロセス中の衝撃に耐えられる最小限」に調整することで安定的にチップ分離する手法の開発に成功した。

要約(英語): A new promising thin-film deposition method using supercritical fluid (SCFD) may open new opportunities to MEMS fabrication. The authors solved a critical issue on device isolation, which is due to the ultra-high comformality of the SCFD. The key idea is using IR-LASER (Stealth dicing) and controlling the density of crackable layer to be sufficient to sustain MEMS processing.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,476 Kバイト