センスアンプを用いたReRAMの書き込み抵抗の制御と多値記録への応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS12017

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2012/06/12

タイトル(英語): Multi-value Programming Circuit of ReRAM Utilizing Sense-Amplifier

著者名: 中山 和也(金沢大学),半田 貴也(金沢大学),申 東源(金沢大学),北川 章夫(金沢大学)

著者名(英語): Kazuya Nakayama(Kanazawa University),Takaya Handa(Kanazawa University),Dongweon Shin(Kanazawa University),Akio Kitagwa(Kanazawa University)

キーワード: 不揮発性メモリ|抵抗変化メモリ|センスアンプ|書き換え回路|抵抗制御|多値メモリ|non-volatile memory|ReRAM|Sens amplifier|write circuit|resiatnce control| Multi-value memory

要約(日本語): 抵抗変化メモリ(ReRAM)は、順方向と逆方向の電流を流すことにより、メモリセルの状態を高抵抗から低抵抗への遷移（セット）と低抵抗から高抵抗への遷移（リセット）を行っている。この性質を利用して、メモリセルの抵抗値がレファレンス抵抗に近づけるように書き換え電流を自動的に制御する回路を提案する。この回路により、低抵抗状態のセルにセット電流を流す無駄を回避すると同時に、正確な抵抗値制御により、多値記録が可能となる。

要約(英語): A novel write-circuit controlling the resistance of ReRAM cell is proposed. The circuit controls the programming current by using the output value of sense-amplifier, and the resistance of the memory cell is programmed by a value of the reference resistance. This method avoids the wasteful overwriting and the circuit is applicable to the multi-value memory

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,437 Kバイト