集積化CMOS-MEMSへ向けた2軸加速度センサの基礎検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS14002

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2014/05/27

タイトル(英語): A Study of a Dual-axis Accelerometer for Integrated CMOS-MEMS Devices

著者名: 山根 大輔(東京工業大学),松島 隆明(NTTアドバンステクノロジ),小西 敏文(NTTアドバンステクノロジ),年吉 洋(東京大学),町田 克之(NTTアドバンステクノロジ),益 一哉(東京工業大学)

著者名(英語): Yamane Daisuke(Tokyo Institute of Technology),Matsushima Takaaki(NTT Advanced Technology Corp.),Konishi Toshifumi(NTT Advanced Technology Corp.),Toshiyoshi Hiroshi(The University of Tokyo),Machida Katsuyuki(NTT Advanced Technology Corp.),Masu Kazuya(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 加速度センサ|２軸|シーモス後工程|シーモスメムス|積層メタル|電解金めっき|accelerometer|dual-axis|post-CMOS process|CMOS-MEMS|multi-layered metal|gold electroplating

要約(日本語): 集積化ＣＭＯＳ－ＭＥＭＳへ向けた２軸検出静電容量型ＭＥＭＳ加速度センサを試作し，ＭＥＭＳ構造の基本特性を実験的に評価したので報告する．提案する２軸加速度センサは積層メタル構造であり，ＣＭＯＳ後工程の金めっきプロセスで作製した．錘材料に高密度の金を用いることでＭＥＭＳセンサの小型化と低ノイズ化を実現しており，この結果，ＣＭＯＳセンサ回路上へ２軸ＭＥＭＳ加速度センサを集積化できる見通しを得た．

要約(英語): We report a dual-axis microelectromechanical systems (MEMS) accelerometer for integrated complementary metal-oxide semiconductor (CMOS)-MEMS devices. The dual-axis sensor has been made of multi-layered gold by employing an electroplating used as post-CMOS process. The high density of gold has reduced the Brownian noise lower than those made of other materials in the same size.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,320 Kバイト