高い波長選択性を持つMEMS　Fabry-Perot干渉計を用いた表面応力センサ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS14006

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2014/05/27

タイトル(英語): A surface stress sensor using MEMS Fabry-Perot Interferometer with high wavelength selectivity

著者名: 桝屋 善光(豊橋技術科学大学),高橋 一浩(豊橋技術科学大学),小澤 遼(豊橋技術科学大学),飛沢 健(豊橋技術科学大学),石田 誠(豊橋技術科学大学),澤田 和明(豊橋技術科学大学)

著者名(英語): Masuya Yoshihiro(Toyohashi University of Technology),Takahashi Kazuhiro(Toyohashi University of Technology),Ozawa Ryo(Toyohashi University of Technology),Hizawa Takeshi(Toyohashi University of Technology),Ishida Makoto(Toyohashi University of Technology),Sawada Kazuaki(Toyohashi University of Technology)

キーワード: 表面応力|非標識|ファブリ―ペロー干渉計|タンパク質|フォトダイオード

要約(日本語): 本研究では光干渉計を用いて表面応力を検出するMEMSバイオセンサの高感度化を目指し、銀のハーフミラーを用いた光干渉計と受光素子の感度向上を検討した。従来の光干渉計に銀のハーフミラーを追加し、反射スペクトルを評価し、波長選択性は4倍に向上した。従来より不純物濃度の低い基板を使用し、n-well/p-subフォトダイオードを製作し、受光感度ピークが約3倍となった。測定した受光感度特性を用いて算出した解析的検出限界は一桁の向上が示された。

要約(英語): We have developed a MEMS Fabry-Perot interferometric biosensor with Ag half-mirror and n-well/p-sub photodiode. The wavelength selectivity improves to four times. An n-well/p-sub photodiode with a substrate having an impurity concentration lower than conventional one had a three times higher responsivity. Minimum detectable surface stress of the MEMS sensor with n-well photodiode was estimated about one order of magnitude greater than that of previous n+ photodiode.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,344 Kバイト