金回折格子によるSPRを用いた近赤外光Siディテクタアレイ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS14018

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2014/05/28

タイトル(英語): Near Infrared Si Based Photodetector Array Using SPR on Au Grating

著者名: 菅 哲朗(東京大学),安食 嘉晴(オリンパス),松本 潔(東京大学),下山 勲(東京大学)

著者名(英語): Kan Tetsuo(The University of Tokyo),Ajiki Yoshiharu(Olympus corporation),Matsumoto Kiyoshi(The University of Tokyo),Shimoyama Isao(The University of Tokyo)

キーワード: 表面プラズモン共鳴|近赤外ディテクタアレイ|回折格子|Surface Plasmon Resonance|Near Infrared Detector Array|Grating

要約(日本語): 近年、表面プラズモン共鳴（SPR）による金属中の自由電子励起を利用した、ショットキー型の光ディテクタが注目されている。これは、化合物半導体を用いずに、シリコン基板上に近赤外光検出器が構成できるので、システム統合や低コスト化への可能性を有している。我々はSPRによる赤外検出器のイメージャの基礎検討として、n型シリコン上に金回折格子のエリアを複数配置して近赤外検出器アレイを構成し、その受光特性を検証した。

要約(英語): We propose a near infrared photodetector array using an Au grating and a schottky diode formed on the interface of Au/Si. The Au grating works as a light absorber when the light is coupled to the SPR on the grating. IV characteristics revealed that the schottky diode was formed in each pixel composing 4 × 4 array, and it was also confirmed that the pixels were electrically isolated. Short circuit current measurements were performed during the laser irradiation of the near-infrared wavelength around 1500 nm. The current peaks were observed near the SPR coupling condition. These results confirmed the validity of the pixel of the proposed device as a near-infrared detector.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,166 Kバイト