微細パターン形成のためのフォトレジストのUVキュア処理

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS15036

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2015/09/18

タイトル(英語): UV Curing of Photoresist for Fine Pattern Generation

著者名: 岩本 拓也(豊田工業大学),熊谷 慎也(豊田工業大学),佐々木 実(豊田工業大学)

著者名(英語): Takuya Iwamoto(Toyota Technological Institute),Shinya Kumagai(Toyota Technological Institute),Minoru Sasaki(Toyota Technological Institute)

キーワード: ＵＶキュア処理|微細パターン形成|UV Curing|Fine Pattern Generation

要約(日本語): UVキュア処理を、よく利用されるi/g線ポジ型レジストに施すと、露光・現像処理を加えても安定して残る膜となる。この性質を利用して、フォトマスク形状の輪郭パターンを形成するプロセスを形成した。約１μｍ幅のUVキュア処理したレジストのパターンをデモンストレーションできた。通常のレジストプロセスで利用する材料を用いた、比較的低温のプロセスであるため、制限は少ない。

要約(英語): UV curing makes the photoresist inactive to the additional UV-exposure and is applied to generate the outline fine pattern from the wider original mask pattern. Using g-line photoresist, about 1 um wide-pattern is demonstrated. The finally obtained pattern is UV-cured photoresist not remaining other material. The application limitation is small.

原稿種別: 英語

PDFファイルサイズ: 479 Kバイト