マイクロスケールのB・Geシリコンに見られるセレーション型の応力ーひずみ関係

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS15042

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2015/09/18

タイトル(英語): serration-like stress-strain relationship observed in microscal boron and gerumanium co-doping si

著者名: 太田 一輝(立命館大学),安藤 妙子(立命館大学)

著者名(英語): Kazuki Oota(Ritsumeikan University ),Taeko Ando(Ritsumeikan University )

キーワード: シリコン|不純物|引張試験|高温|転位|塑性変形|Si|doping|tensile test|high temperature |dislocation|plastic deformation

要約(日本語): 高温におけるシリコンの機械特性は、加熱環境下でMEMS デバイスを使用する際の構造設計や信頼性の観点から重要である。本研究では、ボロンやゲルマニウムを不純物とした単結晶シリコンの試験片を作製し、600℃と700℃で高温引張試験を行った。試験結果の応力-ひずみ線図や破断後の試験片のSEM写真から、単結晶シリコン中のゲルマニウム原子が高温における転位の運動やそれに伴う塑性変形に大きく影響することが明らかとなった。

要約(英語): B doped silicon and B and Ge co-doped silicon in microscale evaluated by using tensile test and at 600℃ and 700℃.We report the plastic deformation and serration-like behavior of single crystal silicon at high temperature by tensile test and SEM observation.

原稿種別: 日本語

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