高ひずみ速度の引張試験におけるナノSiの脆性－延性遷移温度とそのスケール効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS15043

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2015/09/18

タイトル(英語): Brittle - ductile transition temperature of nanoscale silicon and its scale effect in tensile test at high strain rate.

著者名: 上野 晃平(立命館大学),安藤 妙子(立命館大学)

著者名(英語): Kouhei Ueno(Ritsumeikan University),Ando Taeko(Ritsumeikan University)

キーワード: ナノスケール|脆性－延性遷移|シリコン|nanoscale|Si|brittle-ductile behavior observation

要約(日本語): Si の脆性－延性遷移はデバイス動作に影響する重要なパラメータであるが，ナノスケールではスケール効果が見られる．また一般にひずみ速度にも依存するが，ナノスケールでは速いひずみ速度での報告例がない．そこで本研究ではナノスケールSiの脆性－延性挙動をひずみ速度0.1 sec-1 の条件下で調べた．実験結果から脆性－延性の境界が500 ? の薄膜Siでは室温と200 ℃の間に，また室温時では膜厚が200 ? と500 ? の間にあることがわかった。

要約(英語): We examined dependence of temperature and scale on brittle-to-ductile behavior of nano-scale Si at the higher strain rate. It is concluded that brittle-to-ductile transition occurred over room temperature in case of 500 nm silicon and occurred between 200 nm and 500 nm in scale at room temperature.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 672 Kバイト