薄膜シリコンの破断における切り欠き形状がき裂進展に与える影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS16015

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2016/06/30

タイトル(英語): Effect of notch shape on crack propagation of thin film silicon

著者名: 中村 真也(立命館大学),安藤 妙子(立命館大学),上野 晃平(立命館大学)

著者名(英語): Shinya Nakamura(Ritsumeikan University ),Taeko Ando(Ritsumeikan University ),Kohei Ueno(Ritsumeikan University )

キーワード: シリコン|ナノスケール|転位|破壊靭性|き裂進展|スケール効果|Silicon|Nanoscale|Dislocation|Fracture toughness|Crack propagation|Scale effect

要約(日本語): 本研究ではシリコンのナノスケール化によって、応力場に発生するき裂と転位の相互関係に及ぼす影響の観測を目的とした。そこで、同量の変位を与えた状態で破断を比較するため、2種類の異なる形状の切り欠きをいれた薄膜試験片に対し、熱を加えながら引張試験を行った。その結果、ナノスケールまで薄くなることで、応力場がき裂の発生よりも転位の発生に、より大きく影響を及ぼすことが確認できた。

要約(英語): To study the relationship between a crack and dislocations generated at stress concentrating field of single crystal silicon with nanoscale thickness. We carried out tensile test on silicon chip with film specimen having two types notches and compared strength of the notches.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,357 Kバイト