P(VDF/TrFE)薄膜を用いた高周波型MEMS超音波アレイセンサの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS18025

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2018/07/13

タイトル(英語): Development of High Frequency Type MEMS Ultrasonic Array Sensor Using P(VDF/TrFE) Thin Films

著者名: 田中 恒久(大阪産業技術研究所),村上 修一(大阪産業技術研究所),宇野 真由美(大阪産業技術研究所)

著者名(英語): Tsunehisa Tanaka(Osaka Research Institute of Industrial Science and Technology),Murakami Shuichi(Osaka Research Institute of Industrial Science and Technology),Uno Mayumi(Osaka Research Institute of Industrial Science and Technology)

キーワード: 超音波センサ|ＭＥＭＳ|Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）|ダイアフラム|共振周波数|薄膜|Ultrasonic Sensor|MEMS|P(VDF/TrFE)|Diagram|Resonant frequency|Thin Film

要約(日本語): P(VDF/TrFE)薄膜を用いた高周波型MEMS超音波アレイセンサを開発した。高周波化のためのセンサ構造を開発した。作製プロセスを開発し，試作した結果，共振周波数が376kHz，感度が-75dBVの超音波センサの作製に成功した。

要約(英語): MEMS ultrasonic sensor was fabricated using the poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)[P(VDF/TrFE)] copolymer thin films having multilayer diaphragm structures. For increased resonant frequency of sensor, we developed new diaphragm structure. The resonant frequency and sensitivity of new MEMS ultrasonic array sensor was estimated to be on the order of 380 kHz and -77 dBV (1 V/Pa = 0 dBV), respectively.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,274 Kバイト