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閾値自己補償整流昇圧回路による振動発電素子の実効帯域向上

閾値自己補償整流昇圧回路による振動発電素子の実効帯域向上

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS20031

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2020/07/06

タイトル(英語): Bandwidth enhancement of vibrational energy harvesters using a threshold-compensated voltage-boost rectifier

著者名: 遠山 幸也(東京大学),本間 浩章(東京大学),年吉 洋(東京大学),山根 大輔(立命館大学, JSTさきがけ)

著者名(英語): Tohyama Yukiya(The University of Tokyo),Hiroaki Honma(The University of Tokyo),Hiroshi Toshiyoshi(The University of Tokyo),Daisuke Yamane(Ritsumeikan University, JST PRESTO)

キーワード: 振動発電素子|整流昇圧回路|広帯域化|MEMS|vibrational energy harvester|voltage-boost rectifier|MEMS|broadband enegy harevester

要約(日本語): 本発表では整流昇圧回路を使用した、振動発電素子の実効帯域向上手法を報告する。ダイオードの閾値未満の電圧から昇圧可能な整流昇圧回路を使用することで、共振外動作時の発電素子の出力から後段回路駆動に必要なレベルの電圧が得られる。MOSFETの閾値を自己補償する回路構成を採用し整流昇圧回路を低閾値化することで更なる帯域向上が可能であることを、電気回路シミュレータを用いた電気機械統合解析により確認した。

要約(英語): We report a method to improve the effective bandwidth of a vibrational energy harvester (VEH) using a voltage-boost rectifier (VBR) circuit. _x000D_ The evaluation results from multi-physics simulations show that broader bandwidth of VEH is realized by employing the threshold self-compensation topology on VBR circuits.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,435 Kバイト

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