ピエゾ抵抗素子を用いた引張応力測定機構を有するナノスケール引張試験デバイスの作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS20041

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム研究会

発行日: 2020/07/06

タイトル(英語): Fabrication of tensile test device at nanoscale with stress measurement mechanism used piezoresistive element.

著者名: 田中 秀悟(立命館大学),安藤 妙子(立命館大学)

著者名(英語): Shugo Tanaka(Ritsumeikan University),Taeko Ando(Ritsumeikan University)

キーワード: ナノスケール|シリコン|引張応力|ピエゾ抵抗素子|試験デバイス|材料|nanoscale|silicon|tensile stress|piezoresistive element|test device|material

要約(日本語): シリコンは半導体やMEMS材料として用いられ、材料特性評価を行うことは、今後のデバイス設計にとって重要である。本研究では、ナノスケールシリコンの試験片を電子顕微鏡内で観察しながら引張試験を行い、加わった引張応力を測定できるデバイスの作製を行った。デバイスには応力測定を行うため、試験片支持部にピエゾ抵抗素子を組み込む。本発表では、デバイスに用いる応力測定機構の性能評価について報告する。

要約(英語): In this study, we have fabricated a nanoscale silicon tensile test device that can measure tensile stress in TEM. The piezoresistive elements are incorporated into the both ends of nanoscale silicon specimen. This paper reports on the evaluating result of the performance on the stress measurement mechanism.

原稿種別: 日本語

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