シリコンMEMS素子に適用可能なエレクトレット技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MSS20048,CHS20021,BMS20032

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 マイクロマシン・センサシステム/【E】センサ・マイクロマシン部門 ケミカルセンサ/【E】センサ・マイクロマシン部門 バイオ・マイクロシステム合同研究会

発行日: 2020/07/06

タイトル(英語): An electret technique applicable to silicon MEMS devices

著者名: 橋口 原(静岡大学)

著者名(英語): Gen Hashiguchi(Shizuoka university)

キーワード: エレクトレット|ＭＥＭＳ|Electret|MEMS

要約(日本語): 当研究グループが開発したシリコンMEMS素子に適用可能なエレクトレット技術について紹介する。本講演では、まずエレクトレット化の利点について述べた後、カリウムイオンを用いたエレクトレット化のプロセスについて説明する。そしてMEMSならではの帯電プロセスのその場観察や、帯電電圧の測定法を説明する。また、帯電膜の電位分布や帯電の劣化についても現状でのデータを報告する。最後にエレクトレットMEMSで初めて実現できる機能について簡単に紹介する。

要約(英語): A new electret technique we have been _x000D_ developed is presented. Merits using electret potential in MEMS devices are first described, and then the process forming electret films in silicon MEMS devices is explained in detail as well as an in-situ monitoring method of the charging process and property of voltage degradation._x000D_ New functions using electret will be also introduced briefly.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,076 Kバイト