TunGaAsN系半導体と温度安定波長半導体レーザ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD05036

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　光・量子デバイス研究会

発行日: 2005/12/02

タイトル(英語): TIInGaAsN semiconductors and temperature-stable wavelength semiconductor laser diodes

著者名: 朝日 一(大阪大学産業科学研究所研),藤原 淳志(大阪大学産業科学研究所研),松本 武(大阪大学産業科学研究所研),長谷川 繁彦(大阪大学産業科学研究所研)

著者名(英語): Hajime Asahi(Osaka University,ISIR),Atsushi Fujiwara(Osaka University,ISIR),Takeshi Matsumoto(Osaka University,ISIR),Shigehiko Hasegawa(Osaka University,ISIR)

キーワード: TIInGaAsN|半導体レーザ|温度安定波長|屈折率|バンドギャップェネルギー|MBE|WDM

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 548 Kバイト