GaN基板上へのクラックフリー成長層を用いた高出力青紫色半導体レーザ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD06037

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　光・量子デバイス研究会

発行日: 2006/12/08

タイトル(英語): High power violet laser diodes with crack-free layers grown on GaN substrates

著者名: 伊藤茂稔 (シャープ),神川 剛(シャープ),上田吉裕 (シャープ),高谷邦啓 (シャープ),山崎幸生 (シャープ),湯浅 貴之(シャープ),種谷 元隆(シャープ)

著者名(英語): Shigetoshi Ito(Sharp Corporation),Takeshi Kamikawa(Sharp Corporation),Yoshihito Ueta(Sharp Corporation),Kunihiro Takatani(Sharp Corporation),Yukio Yamasaki(Sharp Corporation),Takayuki Yuasa(Sharp Corporation),Mototaka Taneya(Sharp Corporation)

キーワード: 半導体レーザ|青紫色レーザ|窒化物半導体|光ディスクシステム|GaN基板|溝|クラック|寿命

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 733 Kバイト