InAlGaN窒化物4次元混晶を用いた高出力紫外LEDの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD06038

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　光・量子デバイス研究会

発行日: 2006/12/08

タイトル(英語): Development of High-Power UV-LEDs using Quaternary InAlGaN

著者名: 平山 秀樹(理研),藤川 紗千恵(理研),高野 隆好(理研,松下電工),近藤行廣 (理研,松下電工),松下 電工(埼玉大学),大橋 智昭(埼玉大学),谷田部 徹(埼玉大学),鎌田 憲彦(埼玉大学)

著者名(英語): Hideki Hirayama(RIKEN),Sachie Fujikawa(RIKEN),Takayoshi Takano(RIKEN,Matsushita Electric Works),Yukihiro Kondo(RIKEN,Matsushita Electric Works),Matsushita Electric Works (Saitama Univ.),Tomoaki Ohashi(Saitama Univ.),Tohru Yatabe(Saitama Univ.),Norihiko Kamota(Saitama Univ.)

キーワード: InAlGaN4元混晶|紫外LED|In９組成変調|MOCVD|内部量子効率

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,112 Kバイト