InP基板上の波長2μm帯InGaAsSbN赤外量子井戸レーザの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD06039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　光・量子デバイス研究会

発行日: 2006/12/08

タイトル(英語): Research on InGaAsSbN quantum well laser diodes on InP in 2 μm wavelength region

著者名: 河村 裕一(大阪府立大学,CREST-JST)

著者名(英語): Yuichi Kawamura(Osaka Prefecture University,CREST-JST)

キーワード: InP|InGaAsSbN|2μm帯量子井戸レーザ|アンチモン|MBE

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 748 Kバイト