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赤・近赤外パワー半導体レーザのプロトン照射効果

赤・近赤外パワー半導体レーザのプロトン照射効果

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD06041

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2006/12/08

タイトル(英語): Proton Radiation Effects in Red and Infrared High Power Semiconductor Lasers

著者名: 權田俊一(福井工業大学),津々美 裕之(福井工業大学),伊藤慶文(若狭湾エネルギー研究センター),久米 恭(若狭湾エネルギー研究センター),石神 龍哉(若狭湾エネルギー研究センター),牧野 貴光(浜松ホトニクス),森田 剛徳(浜松ホトニクス),菅博文(浜松ホトニクス)

著者名(英語): Shun-ichi Gonda|Hiroyuki Tsutsumi|Yoshifumi Ito|Kyo Kume|Ryoya Ishigami|Takamitsu Makino|Takenori Morita

キーワード: 高出力半導体レーザ|ブロードストライプ半導体レーザ|赤色レーザダイオード|近赤外レーザダイオード|プロトン照射|放射線照射損傷|損傷アニール効果|非イオン化エネルギーロス|AlGaAs|GaInP

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 751 Kバイト

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