GaN系LD/LEDの開発動向と現状

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD07055

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　光・量子デバイス研究会

発行日: 2007/12/14

タイトル(英語): Current Status of GaN based LD/LED

著者名: 向井 孝志(日亜化学工業),長濱 慎一(日亜化学工業),小崎 徳也(日亜化学工業),成川 幸男(日亜化学工業),佐野 雅彦(日亜化学工業),山田 孝夫(日亜化学工業),坂本 貴彦(日亜化学工業)

著者名(英語): Takashi Mukai(Nichia Corporation),Shinichi Nagahama(Nichia Corporation),Tokuya Kozaki(Nichia Corporation),Yukio Narukawa(Nichia Corporation),Masahiko Sano(Nichia Corporation),Takao Yamada(Nichia Corporation),Takahiko Sakamoto(Nichia Corporation)

キーワード: GaN|InGaN|LED|YAG|白色LED|LD|純青色レーザ

要約(日本語): 青色LEDのVfを低減する最適化をすることにより，YAG蛍光体と青色LEDチップを組み合わせた白色LEDにおいてエネルギ消費効率が169 lm/Wが得られた。また，青色LDでは直流駆動において500 mWの光出力で寿命を含め実用レベルのものが試作できた。

要約(英語): We fabricated the high luminous efficiency white LED with a low forward-bias voltage (Vf) of 2.80 V. Energy efficiency and wall-plug efficiency (WPE) were 169 lm/W and 50.8%, respectively, at 20 mA. As for the laser diode (LD), the pure-blue (445 nm) LDs

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 258 Kバイト