高出力純青色GaN系半導体レーザの結晶欠陥と劣化現象

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD07056

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　光・量子デバイス研究会

発行日: 2007/12/14

タイトル(英語): Structural Defects and Degradation of High Power Pure-Blue GaN-based Laser Diodes

著者名: 冨谷茂隆 (ソニー),後藤 修(ソニー),池田 昌夫(ソニー),大泉善嗣 (ソニー白石セミコンダクタ),庄司 美和子(ソニー白石セミコンダクタ),田中 隆之(ソニー白石セミコンダクタ),保科 幸男(ソニー白石セミコンダクタ),太田 誠(ソニー白石セミコンダクタ),矢吹 義文白石セミコンダクタ(ソニー白石セミコンダクタ)

著者名(英語): Shigetaka Tomiya(Sony Corporation),Osamu Goto(Sony Corporation),Masao Ikeda(Sony Corporation),Yoshitsugu Ohizumi(Sony Shiroishi Semiconductor,Inc.),Miwako Shouji(Sony Shiroishi Semiconductor,Inc.),Takayuki Tanaka(Sony Shiroishi Semiconductor,Inc.),Yukio Hoshina(Sony Shiroishi Semiconductor,Inc.),Makoto Ohta(Sony Shiroishi Semiconductor,Inc.),Yoshifumi Yabuki(Sony Shiroishi Semiconductor,Inc.)

キーワード: 純青色半導体レーザ|MOCVD|GaN基板| GaInN混晶|転位|逆位相境界欠陥|COD故障|端面電流非注入構造

要約(日本語): 高出力力純青色半導体レーザの長寿命化の実現には、GaInN多重量子井戸構造からなる活性層から新たに発生する結晶欠陥の低減が必須であった。本発表では、この新たな結晶欠陥の詳細な構造について報告し、結晶欠陥の発生メカニズムや低減法を考察する。また、端面電流非注入構造を導入したレーザを作製し、COD抑制効果が高いことを確認した。劣化機構メカニズムの考察とあわせて、端面電流非注入構造の効果を報告する。

要約(英語): In order to elongate lifetime of high power pure-blue GaN based laser diodes, reduction of newly created structural defects at active region, which consists of multiple quantum well structures, is inevitable. We, first, report on detailed structural analy

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 788 Kバイト